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SENTECH SI 500 ICP-RIE等離子體蝕刻系統(tǒng)使用具有低離子能量的電感耦合等離子體 （ICP） 源，可實現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結構。

SI 500 C 代表了專為低溫蝕刻而設計的電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿。SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿技術，其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個動態(tài)溫控基板電極、一個受控的真空系統(tǒng)和一個非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是

PlasmaPro 100 Nano 用于生長1D / 2D納米材料和異質(zhì)結構的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通過在線催化劑活化和嚴格的工藝控制，實現(xiàn)納米材料的高性能生長。

離子束沉積產(chǎn)品是因為它們能夠生產(chǎn)具有高質(zhì)量，致密和表面光滑的沉積薄膜。離子束技術提供了一種多樣的刻蝕和沉積的方法，并可在同一設備上實現(xiàn)， 因而提高系統(tǒng)的利用率。我們的設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)規(guī)格與實際應用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。

ALE是一種先進的刻蝕技術，可以針對較淺的微結構進行出色的深度控制。 隨著器件微結構尺寸越來越小，要達到器件的更高性能可以通過ALE技術所具有的精度來實現(xiàn)。 在如今的先進微電子器件制造中，高保真度的圖案轉(zhuǎn)移（刻蝕）是至關重要的。隨著特征尺寸縮小至亞10納米級別，以及新型器件采用超薄的二維材料，對原子尺度保真度的需求不斷增加。 原子層刻蝕(ALE)技術克服了傳統(tǒng)（連續(xù)）刻蝕技術在原子尺度上的局限

織雀™PL-3D Premium 是托托科技自主研發(fā)的高精密微3D光刻設備， 最高光學分辨率可達1μm，支持最大50 mm×50 mm×50 mm的加工尺寸，設備還支持對準套刻功能，可在已有結構表面進行多材料的駁接打印，在復雜三維微納結構、高深寬比微納結構以及復合材料三維微納結構制造方面具有突出的潛能和優(yōu)勢，而且還具有制造周期短、打印成本低、成型精度高、可使用材料種類多、無需模具直接成型的優(yōu)點