當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導體前道工藝設備 > 5 刻蝕設備 > RIE-400iP等離子體(ICP)刻蝕設備
簡要描述:RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負載鎖定型蝕刻系統(tǒng),等離子體(ICP)刻蝕設備可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風線圈的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)作為放電形式,可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。
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1. 產(chǎn)品概述
RIE-400iP是用于?4 "晶圓的負載鎖定型蝕刻系統(tǒng),可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用的龍卷風線圈的電感耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma)作為放電形式,可產(chǎn)生均勻、高密度的等離子體。另外,可以根據(jù)加工材料和加工內(nèi)容選擇合適的等離子體源。
2. 設備用途/原理
GaN、GaAs、InP等化合物半導體的高精度蝕刻。生產(chǎn)半導體激光器和光子晶體。
3. 設備特點
新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"。可高效穩(wěn)定地應用高射頻功率(2千瓦以上),并實現(xiàn)良好的均勻性。大流量排氣系統(tǒng),排氣系統(tǒng)直接連接到反應室,可以實現(xiàn)從小流量和低壓范圍到大流量和高壓范圍的廣泛工藝窗口。端點監(jiān)測,干涉法和發(fā)射光譜終點監(jiān)測儀可用于目標薄膜厚度的終點檢測。易于維護的設計,TMP(渦輪分子泵)已集成在一個單元中,便于更換。
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